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経年劣化や過負荷で微妙に挙動が変わったりしたら別個体と認証されたりしないだろうか。それとも初回に一回だけIDを生成して以降は使わないんだろうか。
MOSトランジスタのVthバラツキに起因するタイミングのバラツキ(遅延バラツキ)を利用しているので経年変化などありません(経年変化が無視できないなら、そもそも経年変化でLSIそのものが正常に動作しません)通常の使用環境からかけ離れた低温/高温とかなら話は別かもしれませんが
イオン注入のバラツキによるVthバラツキをLSIの固体識別に用いるアイデアは昔からあります(製品に用いられたものもある)もしかして既存の特許を回避するために捻って考え出したアイデア?#通常の回路設計では忌避される(レジスタ無しの)ヒゲを出す組み合わせ回路をわざわざ組み込んでヒゲをカウントするとは........
単純にVthのばらつきを利用していたら、経年変化は無視できないですよ。デジタル回路よりサイズの大きいオペアンプやコンパレータの入力オフセットも、経年変化まで保証している物は希です。
ざっとブロック図を見ただけですが、#2758259で指摘されているように、冗長性を持たせるんじゃないかと思います。大きなビット幅で、大量のデータを処理できる構成なので、そこを利用するんじゃないかと。回路の原理は昔からあるものですが、その辺りの実用化のための処理に新規要素があるのかもしれません。
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身近な人の偉大さは半減する -- あるアレゲ人
時間とともに挙動が変わったりしないもんだろうか (スコア:3)
経年劣化や過負荷で微妙に挙動が変わったりしたら別個体と認証されたりしないだろうか。
それとも初回に一回だけIDを生成して以降は使わないんだろうか。
Re: (スコア:3, 参考になる)
MOSトランジスタのVthバラツキに起因するタイミングのバラツキ(遅延バラツキ)を利用しているので経年変化などありません
(経年変化が無視できないなら、そもそも経年変化でLSIそのものが正常に動作しません)
通常の使用環境からかけ離れた低温/高温とかなら話は別かもしれませんが
イオン注入のバラツキによるVthバラツキをLSIの固体識別に用いるアイデアは昔からあります(製品に用いられたものもある)
もしかして既存の特許を回避するために捻って考え出したアイデア?
#通常の回路設計では忌避される(レジスタ無しの)ヒゲを出す組み合わせ回路をわざわざ組み込んでヒゲをカウントするとは........
Re:時間とともに挙動が変わったりしないもんだろうか (スコア:3)
単純にVthのばらつきを利用していたら、経年変化は無視できないですよ。
デジタル回路よりサイズの大きいオペアンプやコンパレータの入力オフセットも、経年変化まで保証している物は希です。
ざっとブロック図を見ただけですが、#2758259で指摘されているように、冗長性を持たせるんじゃないかと思います。
大きなビット幅で、大量のデータを処理できる構成なので、そこを利用するんじゃないかと。
回路の原理は昔からあるものですが、その辺りの実用化のための処理に新規要素があるのかもしれません。