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デバイス製造側からすると既知の問題ですね。DRAMを微細化していくと隣接セルへの干渉が増えるのは、ずっと前から（10年以上前から）指摘されています。そのせいで、30nmが限界だとか、20nmが限界だとか言われながら、微細化を続けてきました。これをどの程度押さえるかはコストと信頼性のトレードオフであり、ゼロにはできません。必要な信頼性はECCで確保する、今後はCRCやもっと複雑なエラー訂正を導入しようって方向です。NANDは既に素子単体での信頼性確保は不可能で、エラー訂正含めて信頼性を議論していますが、DRAMもその後を追うだけかと思います。
ディスターブの問題なんて10年以上前どころか30年以上前からですがな通常のプログラムではありえないような厳しいアクセスパターンで不良が生じる、あえて厳しいテストパターンを用いてスクリーニングするのはDRAMでは常識ですそういう嫌らしい（？）テストパターンを作るのが得意な（？）お客さんがいて、クレームで次々選別テストパターンを追加していくとテストタイムが足りなくなってくる．．．．．．
30年前とすると、多分それは別の問題です。以下のコメント参照。http://security.srad.jp/comments.pl?sid=648375&cid=2734556 [srad.jp]隣接するラインへのRead回数で問題が起きることは2000年台には聞いたと思いますが、30年前はさすがにない。
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UNIXはシンプルである。必要なのはそのシンプルさを理解する素質だけである -- Dennis Ritchie
既知の問題 (スコア:5, 興味深い)
デバイス製造側からすると既知の問題ですね。
DRAMを微細化していくと隣接セルへの干渉が増えるのは、ずっと前から（10年以上前から）指摘されています。
そのせいで、30nmが限界だとか、20nmが限界だとか言われながら、微細化を続けてきました。
これをどの程度押さえるかはコストと信頼性のトレードオフであり、ゼロにはできません。
必要な信頼性はECCで確保する、今後はCRCやもっと複雑なエラー訂正を導入しようって方向です。
NANDは既に素子単体での信頼性確保は不可能で、エラー訂正含めて信頼性を議論していますが、DRAMもその後を追うだけかと思います。
Re:既知の問題 (スコア:2, 興味深い)
ディスターブの問題なんて10年以上前どころか30年以上前からですがな
通常のプログラムではありえないような厳しいアクセスパターンで不良が生じる、あえて厳しいテストパターンを用いてスクリーニングするのはDRAMでは常識です
そういう嫌らしい（？）テストパターンを作るのが得意な（？）お客さんがいて、クレームで次々選別テストパターンを追加していくとテストタイムが足りなくなってくる．．．．．．
Re:既知の問題 (スコア:1)
30年前とすると、多分それは別の問題です。以下のコメント参照。
http://security.srad.jp/comments.pl?sid=648375&cid=2734556 [srad.jp]
隣接するラインへのRead回数で問題が起きることは2000年台には聞いたと思いますが、30年前はさすがにない。